据中科院官网4月7日消息，中国北京大学研究团队研发出弹道二维硒化铟（InSe）晶体管，实际性能超过英特尔最先进的商用硅基晶体管。该研究团队探索出一种在二维电子器件中实现欧姆接触的全新方法，即固态源掺杂诱导相变技术，在全球率先将二维晶体管的器件总电阻推至接近理论极限，刷新至124欧姆·微米，可满足集成电路未来节点对晶体管电阻的要求。该研究突破了长期以来阻碍二维电子学发展的关键科学瓶颈，为二维半导体技术的发展奠定了基础。相关研究发表在《自然》（Nature）杂志。

消息来源：https://www.cas.cn/kj/202304/t20230407_4883320.shtml