据中国科学院官网5月4日消息，美国麻省理工学院研究团队研发出一种新型低温生长工艺，可大幅提高集成电路密度。该研究团队可通过新研发的低温生长工艺，直接在硅芯片上有效且高效地生长二维（2D）过渡金属二硫化物（TMD）材料层，以实现芯片电路更密集的集成。未来，该研究成果有望应用于集成电路领域。相关研究发表在《自然-纳米技术》（Nature Nanotechnology）杂志上。

消息来源：https://www.cas.cn/kj/202305/t20230504_4885912.shtml