据TechWeb网6月6日消息，中国台湾台积电公司正在为2nm制程芯片试产做准备，计划在2023年内试产1000片晶圆。2nm工艺是台积电精细芯片制程的一个重大节点，将采用纳米片晶体管（Nanosheet）取代鳍式场效应晶体管（FinFET），这意味着该公司的工艺正式进入全环绕栅极晶体管（GAA）时代。与3nm芯片相比，在相同功耗下，2nm芯片的速度快10%-15%；在相同速度下，功耗降低25%-30%。台积电公司计划于2024年进行2nm芯片的风险试产、2025年实现大规模量产。

消息来源：http://www.techweb.com.cn/world/2023-06-06/2928267.shtml