据日本东北大学网站7月10日消息，日本东北大学（Tohoku University）的研究人员开发出利用溅射技术制造大面积二维四硫属化合物（tetra-chalcogenides）的方法，并利用该方法制造出碲化铌（NbTe₄）薄膜材料，可用于下一代存储技术。相变存储器是一种非易失性存储器，利用相变材料（PCM）从非晶态（原子无序排列）转变为晶态（原子紧密堆积）的能力，具有高存储密度和更快的读写能力。研究人员将材料薄膜沉积到基板上，从而能够精确控制薄膜厚度和成分，生成的碲化铌薄膜最初为非晶态，在272℃以上的温度下退火结晶为二维层状结晶相。该材料表现出低熔点（447℃）和高结晶温度，降低了复位能量并提高了非晶相的热稳定性。与传统的相变存储化合物相比，该材料具有出色的热稳定性和快速切换速度，有望在汽车等高温环境中使用。相关研究成果发表在《先进材料》（Advanced Materials）期刊上。

消息来源：http://www.tohoku.ac.jp/en/press/new_material_shows_promise_for_nextgeneration_memory_technology.html