据phys.org网8月18日消息，荷兰埃因霍温理工大学（Eindhoven University of Technology）和印度SRM科学技术研究所（SRM Institute of Science and Technology，SRMIST）的研究人员采用等离子体增强原子层沉积（PEALD）技术在二维半导体MoS₂上大面积生长二维金属TiS_x（x约为1.8），可提高半导体的性能。研究人员发现，若采用二维金属TiS_x取代传统的三维块状金属触点，MoS₂场效应晶体管（FET）的性能几乎是采用钛三维块状金属触点的2倍。此外，在TiS_x存在的条件下，MoS₂的本征载流子密度增加，使MoS₂半导体性能改善。二维金属TiS_x与二维半导体MoS₂的集成将提高MoS₂场效应晶体管的整体电性能。相关研究成果发表在《纳米进展》（Nanoscale Advances）期刊上。

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