据TechXplore网11月6日消息，美国普渡大学、加州大学圣地亚哥分校和法国巴黎高等物理与化学工业学院（ESPCI）联合团队研究人员探索使用钒氧化物构建神经形态计算芯片。神经形态计算芯片基本上可以归纳为模仿大脑行为的计算机芯片，可以模拟人脑中神经元和突触之间的信号传递。研究人员发现钒氧化物制成的非易失性存储器具有记忆效应，其在绝缘体到金属转变过程中可以重复地由温度循环驱动，意味着这种存储器在局部温度的变化中，可在升温时从绝缘体转变为金属，或在冷却时从金属转变为绝缘体。这种类似“记忆”的模式有望为构建神经形态计算芯片提供新的思路。

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