据日经网11月17日消息，日本半导体公司Rapidus、东京大学将与法国半导体研究机构Leti合作，共同开发新一代1纳米级半导体设计的基础技术。日法双方目标是确立设计开发1.4～1纳米半导体所需的基础技术。1纳米半导体产品需要不同于传统晶体管的结构，目前Leti在该领域的成膜等关键技术上具有优势。据悉，Rapidus还正与美国IBM、比利时半导体研究开发机构imec合作，计划于2027年量产2纳米产品。

消息来源：https://cn.nikkei.com/industry/itelectric-appliance/54066-2023-11-17-09-36-26.html