据TechXplore网11月30日消息，美国罗切斯特大学研究人员开发出一种新型混合相变忆阻器，可实现高效的存储功能。研究人员通过控制二维二碲化钼材料的单向拉伸，将材料转化为不同的晶相，从而产生不同电阻，实现存储功能。这种设备结合了忆阻器和相变材料的优点，既能够提供快速、密集的存储，又能够降低功耗。这种新型存储器有望成为一种超快和超高效的内存形式，在计算机研究中产生重大影响。

消息来源：https://techxplore.com/news/2023-11-hybrid-phase-change-memristors-possibilities.html