2024-01-04 美国 来源：其他 作者：唐乾琛 领域：信息
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据IEEE Spectrum网1月3日消息，美国罗切斯特大学的研究人员成功地通过引入应变改进了二维忆阻器的性能。研究人员使用了经过工艺设计的二维二碲化钼薄膜来实现这一目标。通过精确控制触点的厚度和角度，研究人员能设计出最佳的应变量和方向，从而实现更快的开关速度和更低的工作能量，仅需要0.1伏和120阿焦耳即可执行开关操作。目前，该团队还在致力于解决设备状态保留时间和稳定性等方面的挑战。尽管还需要进一步的工程设计和研究，但这项研究为二维忆阻器的应用提供了有希望的途径，有望应用于大型人工神经形态计算设备。
