据TechXplore网1月6日消息，中国科学院、武汉大学和湖南大学研究人员开发出基于单层黑磷和砷化锗的新型二维半导体晶体管。研究人员报告了一种范德华剥离技术，成功地使用这种技术创建了基于黑磷和砷化锗的晶体管，并证明了其优越的学电特性。研究人员还展示了这种方法在开发基于其他不稳定单层材料的晶体管方面的潜力，这种技术能够减薄晶体管的沟道部分，同时保持接触区域所需的厚度。这项研究为使用二维半导体材料制造更薄、更可扩展的电子设备开辟了新的途径。相关研究发表于《自然-电子》期刊（Nature Electronics）。

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