据IT之家网1月17日消息，中国台湾台积电公司与工业技术研究院（ITRI）的联合研究团队，研发出自旋轨道力矩式磁性内存（SOT-MRAM），功耗仅为类似技术STT-MRAM的百分之一。SOT-MRAM是下一代磁阻式随机存取内存（MRAM）技术，可满足新一代内存需求。目前三星、英特尔等大厂都在加大投入研发该技术。随着AI、5G时代来临，自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等场景应用，都需要更快、更稳、功耗更低的新一代内存。

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