据IEEE Spectrum网1月31日消息，美国斯坦福大学和中国台湾台积电公司的联合研究团队通过纳米结构改善相变存储器性能。该研究团队研发出新型纳米复合超晶格材料，并使用该材料构建了相变存储器（PCRAM），成功降低了电流和稳定了电阻，解决了电阻值漂移问题。未来，该研究可应用于相变存储器的研发和生产。相关研究发表在《自然-通讯》（Nature Communications）杂志。

消息来源：https://spectrum.ieee.org/phase-change-memory