据双碳情报3月5日消息，美国能源部向阿贡国家实验室拨款400万美元，用于使用原子层沉积（ALD）技术研发超低能耗微芯片。这项研究将利用阿贡在ALD技术方面的开创性工作，与斯坦福大学、西北大学和博伊西州立大学开展合作，旨在开发出电力使用量为目前芯片五十分之一的微芯片，为微电子寻找节能解决方案。ALD技术可以在复杂的3D基板上制备各种薄膜，是制造超低功率电子设备的理想技术。在这个项目中，阿贡国家实验室的科学家将使用ALD技术重新设计微芯片，缩小微处理器与存储芯片之间的差距，由于不使用3D集成电路将存储和逻辑层堆叠在一起，有可能减少90%的能源使用。目前，研究人员正在开发一种替代的二维半导体材料——二硫化钼（MoS2）以取代硅，创建可以三维叠加的2D半导体场效应晶体管（2D-fet）。这为微芯片留下了更多空间，有效地将存储器和逻辑堆叠在一起，大大降低了能耗。与此同时，阿贡国家实验室的科学家正在研究ALD二硫化钼在记忆晶体管中的应用，用于构建神经形态电路的电子元件。与传统的硅器件相比，神经形态电路有可能减少100万倍的能量。

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