据TechXplore网3月15日消息，日本国立材料科学研究所（NIMS）研究团队研发出世界上首款可应用于CMOS集成电路的N型场效应晶体管（MOSFET）。该研究团队使用NIMS专有的微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）方法精确控制高温高压合成（HPHT）单晶金刚石基板晶面上的掺杂浓度，最终形成了高质量的N型金刚石外延层，并基于此研发出新型N型场效应晶体管。经测试，该N型金刚石MOSFET在300℃下场效应电子迁移率约为150厘米平方/伏特·秒（cm² /V·sec）。未来，该研究可应用于集成电路的开发，比如用于制造恶劣环境中使用的电子器件和传感器等。相关研究发表在《先进科学》（Advanced Science）杂志上。

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