据中科院官网4月16日消息，新加坡国立大学研究团队研发出新型存储读写方式，可用于开发大规模低能耗数据存储。该研究团队通过施加外部磁场或电压来引导自由层中的斯格明子（Skyrmion），使电阻出现一个中间值，与高、低电阻之间的差异高达70%，进而可以实现利用斯格明子进行信息存储和写入。未来，该研究可用于数据存储、人工神经网络、非传统计算等领域。相关研究发表在《自然》（Nature）杂志。

消息来源：https://www.cas.cn/kj/202404/t20240416_5011626.shtml