据TechXplore网4月26日消息，韩国浦项科技大学研究人员成功开发了碲硒复合氧化物半导体材料，创造了高性能和高稳定性的p型薄膜晶体管（TFT）。研究人员发现二氧化碲在缺氧环境中的电荷增加，使材料能发挥p型半导体的作用。在此基础上，研究人员利用部分氧化的碲薄膜和掺有硒的碲硒复合氧化物设计了非晶p型氧化物薄膜晶体管。实验结果显示，这些薄膜晶体管具有高空穴迁移率和开/关电流比，表现出与传统n型氧化物半导体相匹配的性能水平。此外，新的薄膜晶体管在不同外部条件下表现出较高的稳定性，适合工业环境中的可靠半导体器件。这一研究成果对下一代显示技术和内存研究具有重大意义。

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