据phys.org网站5月9日消息，韩国蔚山科学技术院的研究人员开发出一种新的锡硒基材料薄膜沉积工艺。该工艺利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法，在200摄氏度的低温下，实现了在大型晶圆表面的薄膜沉积，达到了卓越的精度和可扩展性。该研究团队成功将此方法应用于整个晶圆，保持了硒化锡薄膜的化学稳定性和高结晶度。团队还针对沉积温度进行了精准控制，以确保薄膜沉积的均匀性和稳定性。这一技术突破了传统沉积方法的限制，为电子器件应用和硒化锡基材料的进一步研究带来了新的机遇。相关研究成果发表于《先进材料》（Advanced Materials）期刊。

消息来源：https://phys.org/news/2024-05-team-thin-deposition-tin-selenide.html