据TechXplore网5月20日消息，韩国三星先进技研究院（SAIT）和首尔国立大学的联合研究团队成功地在一个200毫米的晶圆上集成了MoS2晶体管，可缩小芯片尺寸。该研究团队使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术制造出大规模的MoS2场效应晶体管（FET），并消除了MoS2材料与金属界面之间的肖特基势垒，从而大大增强了FET的载流子迁移率。经测试，该研究团队设计和制造的MoS2 FET在场效应迁移率、接触电阻和电流密度等方面均优于其他MoS2 FET。相关研究发表在《自然·电子》（Nature Electronics）杂志。

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