据科情智库5月28日消息，中国电子科技大学和韩国浦项科技大学的研究团队突破性地研制出一种基于硒（Se）合金化处理的碲氧化物（TeOx）非晶p型半导体。非晶体半导体材料具有成本低、易加工、稳定性高和大面积制造均匀等优点，但传统的非晶氢化硅电学性能不足，学界普遍认为实现高性能非晶p型半导体“几乎不可能”。研究团队提出了一种新颖的碲氧化物基非晶p型半导体，采用工业制程兼容的热蒸镀工艺制备出薄膜，并证实其可用于制造高性能、稳定的p型薄膜晶体管器件（TFT）和互补金属氧化物半导体器件（CMOS）。进一步研究表明，硒合金化处理可以有效调节空穴浓度，将空穴迁移率提高到15cm2/V/s，并使p型TFT器件的电流开关比达到107，还可与氧化铟（In2O3）基n型TFT器件共同构成CMOS器件，具备良好的逻辑运算能力。该研究有望用于制造低成本、高性能的新型电子器件。相关研究成果发表在《Nature》期刊。

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