据新华网7月5日消息，北京大学研究团队在国际上首创出一种全新的晶体制备方法。研究人员开发出名为“晶格传质-界面生长”的晶体制备方法，先将原子在厘米级的金属表面排布形成第一层晶体，新加入的原子再进入金属与第一层晶体间，顶着上方已形成晶体层生长，不断形成新的晶体层。这种方法可使晶体层架构速度达到每分钟50层，层数最高达1.5万层，且每层的原子排布完全平行、精确可控，有效避免了缺陷积累，提高了结构可控性。利用此新方法，研究团队现已制备出硫化钼、硒化钼、硫化钨等7种高质量的二维晶体，这些晶体的单层厚度仅为0.7纳米，而目前使用的硅材料多为5到10纳米。相关方法有望为芯片制造提供新的思路。相关研究成果发表于《科学》（Science）期刊。

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