据KED Global网7月15日消息，韩国三星电子公司计划利用其4nm制程工艺大规模生产下一代高带宽存储器（HBM），以对抗该领域的竞争对手SK海力士公司和台积电（TSMC）。三星将利用4nm代工工艺制造第六代HBM4芯片中的逻辑芯片，该芯片位于芯片堆栈底部，是控制HBM芯片的核心组件。4nm节点是三星标志性的芯片代工制造工艺，良率超过 70%。

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