据TechXplore网8月22日消息，中国科学院金属研究所研究人员开发出了一种名为受激辐射加热载流子（SEHC）的热载流子产生机制，并以此开发出热发射晶体管（HOET）。研究人员通过石墨烯和锗的组合开发出了一种热发射晶体管，从而为热载流子生成提供了一种创新机制。这种新型晶体管由两个耦合的石墨烯/锗肖特基结组成，实现了小于1mV/dec的超低亚阈值摆幅和超过100的峰谷电流比，为后摩尔时代提供了一种低功耗、多功能器件的原型。相关研究成果发表于《自然》（Nature）期刊。

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