据TechXplore网9月7日消息，中国苏州大学、沙特阿卜杜拉国王科技大学和奥地利维也纳工业大学等机构的研究人员开发出一种基于二维半导体制造高性能晶体管的方法。这种方法依赖于六方氮化硼 (h-BN) 电介质和具有高内聚能的金属栅极电极。 研究人员实验发现，h-BN栅极电介质与铂和钨等高内聚能金属的兼容性最好，可以有效减少漏电流。与采用金电极的类似晶体管相比，基于铂和钨的栅极电极可将h-BN介电体上的漏电流降低约500倍，这有利于利用二维材料制造可靠的固态微电子电路和设备。

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