据TechXplore网9月12日消息，美国劳伦斯伯克利国家实验室研究新型晶体管材料，利用负电容现象来提高内存和逻辑器件的效率。负电容是一种材料特性，在低电压下能够存储更多电荷，进而开发出更节能的微电子设备。研究人员开发开源3D模拟工具FerroX，深入研究负电容的起源，了解如何定制和优化这种现象以提升设备性能。FerroX通过相场模拟，可以调整铁电薄膜的组成，优化材料特性，并有助于开发更高效的铁电微芯片。未来，团队计划继续优化晶体管设计，使其具备最佳的负电容性能，为下一代微芯片提供强大的基础。这一突破可能会加速微电子设备的发展，为人工智能、物联网等领域提供更高效、更环保的技术解决方案。

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