据TechXplore网9月14日消息，复旦大学研究人员开发了一种可扩展的集成方法，用于制造超快二维闪存器件。研究人员采用了多种加工技术，包括光刻、电子束蒸发、热原子层沉积、聚苯乙烯辅助转移技术和退火工艺，成功运用二维二硫化钼材料制造超快速闪存芯片，成功集成了1024个设备，良品率超过98%。这种新方法将闪存通道缩小到10纳米以下，提供非易失性信息存储和强大的耐用性，有望推动超快闪存的规模化商业应用。

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