据科情智库9月20日消息，英国剑桥大学的研究人员基于过渡金属二硫化物（2D TMDs）二维材料的半导体器件开发面临的关键挑战，研究确定了掺杂、p型接触和高介电常数电介质确定为关键问题。2D TMDs基半导体器件开发正受到越来越多的关注，但2D TMDs基半导体器件的晶圆级大规模制造仍面临挑战。研究人员发现掺杂、p型接触和高介电常数电介质是2D TMDs基半导体器件开发的关键问题，核心挑战在于高良率的晶圆级大规模制造。研究建议重点发展低缺陷密度的材料、开发可靠的掺杂策略，以及优化半导体/金属和半导体/电介质界面，这些举措对开发2D TMDs基半导体器件至关重要。相关研究成果发表在《Nature Electronics》期刊。

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