据TechXplore网9月25日消息，美国康奈尔大学研究人员开发出一种双面芯片，可同时结合光子和电子功能。氮化镓（GaN）材料沿晶轴具有较大的电子计划特性，使其每个表面的物理和化学性质截然不同，镓（阳离子）一侧可用于发光二极管（LED）和激光器等光子器件，而氮（阴离子）一侧可以承载晶体管等电子器件。基于此特性，康奈尔大学研究人员在氮化镓芯片上结合了高电子迁移率（HEMT）晶体管和发光二极管。这种技术有望促进光电设备的进一步发展。相关研究成果发表于《自然》（Nature）期刊。

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