据华科官网10月28日消息，中国华中科技大学武汉光电国家研究中心研究团队攻克芯片光刻胶关键技术。该研究团队研发出T150A光刻胶系列产品，已通过半导体工艺量产验证，实现了原材料全部国产，配方全自主设计。相较于国外同系列某产品，T150A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大、稳定性更高、留膜率更优，其对刻蚀工艺表现更好，通过验证发现T150A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。该研究团队表示，未来还会发展一系列应用于不同场景下的KrF与ArF光刻胶，致力于突破国外卡脖子关键技术。

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