据TechXplore网11月7日消息，韩国机械材料研究所（KIMM）研究团队研发出全球首个4英寸异构结构半导体。该研究团队首次成功利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制造出4英寸异质结构半导体，该技术可实现WS2/石墨烯和1T-2H MoS2异质结构的大面积制备,为实现3D集成结构、降低功耗和提升性能能效奠定基础。KIMM已在美国和韩国申请了相关专利，预计该技术将推动AI半导体的性能提升和商业化进程。相关研究发表在《先进材料》（Advanced Materials）和《能源与环境材料》（Energy & Environmental Materials）杂志上。

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