据TechXplore网11月10日消息，美国宾夕法尼亚州立大学研究团队在二维材料的异质三维（M3D）集成方面取得突破，研发出高度紧凑且性能显著提升的近传感器计算芯片。M3D集成是指将功能多样的电子器件层按顺序堆叠在同一晶圆上，以提高晶体管密度和芯片功能。该研究团队成功设计并制备了一种基于石墨烯和二硫化钼（MoS₂）材料的M3D堆叠结构，实现了超过62,500 I/O/mm²的互连密度。这种新型堆叠结构不仅将传感器与计算元件之间的物理距离大幅缩小至50纳米，从而有效减少了近传感器计算中的延迟，更将堆叠制造需要的基础温度降至200°C以下，确保了与标准后道（BEOL）工艺的兼容性。相关研究成果发表于《自然·电子学》（Nature Electronics）期刊。

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