据TechWeb网12月8日消息，中国台湾台积电2nm先进制程工艺的试产良品率超60%，大幅超越预期目标。在2nm制程工艺上，台积电计划采用前沿的GAA（Gate-All-Around）晶体管架构。同3nm制程工艺相比，预计可实现晶体管逻辑密度提升超20%，在相同速度下能效可提升20%~30%，在相同能耗下速度可提升10%~15%，被认为是当前兼具晶体管密度和能效的行业最先进半导体技术。按照台积电公布的发展蓝图，预计将在2025年下半年启动2nm工艺的大规模量产。

消息来源：https://www.techweb.com.cn/it/2024-12-08/2954173.shtml