据新浪科技12月12日消息，美国英特尔宣布减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium），实现芯片内互联技术的重大突破。该技术采用钌这一新型、关键、替代性的金属化材料，利用薄膜电阻率（thin film resistivity）和空气间隙（airgap），最高可将线间电容降低25%，有效改善了芯片内互连。该技术作为一种金属化方案，特别在紧密间距层中具有替代铜镶嵌工艺的优势，有望在英特尔未来制程节点中得到应用。

消息来源：https://finance.sina.com.cn/money/future/2024-12-12/doc-inczeqss9853032.shtml