据Sciencesprings 12月21日消息，美国麻省理工学院开发了无缝堆叠电子层的方法，可以制造出速度更快、密度更高、性能更强大的计算机芯片。目前，计算机芯片表面可容纳的晶体管数量已接近极限，芯片制造商正在寻求增加晶体管数量的方法。研究人员将两种不同的过渡金属二硫化物(TMD)层二硫化钼和二硒化钨直接交替堆叠，可成倍增加芯片上的晶体管数量，不需要任何硅晶片基板，从而实现更好、更快的层间通信和计算，且工作温度低。这项研究得到了三星先进技术研究所和美国空军科学研究办公室的支持。相关研究成果发表在《Nature》期刊。

消息来源：https://sciencesprings.wordpress.com/2024/12/21/from-the-department-of-mechanical-engineering-in-the-school-of-engineering-at-the-massachusetts-institute-of-technology-mit-engineers-grow-high-rise-3d-chips/