据IThome网1月3日消息，韩国三星电子公司完成全球首个HBM4内存逻辑芯片设计并启动4nm制程试生产。HBM4是高带宽存储器（HBM）的第六代技术，可支持2048位接口和6.4GT/s的数据传输速率，能够更高效地满足人工智能、深度学习和高性能计算等领域对内存性能日益增长的需求。据悉，三星电子还将在HBM4上导入第六代10纳米级工艺制造生产的DRAM芯片，以丰富产品功能，提升产品性能表现。

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