据TechXplore网1月14日消息，美国加利福尼亚大学圣巴巴拉分校研究团队研发出基于二维材料的可扩展3D场效应晶体管（FET）架构，在集成密度和性能方面更具优势。该研究团队利用纳米片场效应晶体管与纳米叉场效应晶体管构建了该架构并通过量子输运模拟与密度泛函理论计算，全面分析了该架构的性能和可扩展性。此外，该研究团队还为设计基于二维材料的3D-FET架构提供了全面的蓝图，以支持未来的CMOS缩放技术。相关研究成果发表于《自然电子学》（Nature Electronics）期刊。

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