据Tech Xplore 2月18日消息，韩国电气研究院的研究人员开发出一种技术，用于评估碳化硅(SiC)功率半导体器件在太空环境中的抗辐射性和可靠性。研究人员通过韩国首个高能太空环境模拟，系统分析了国产SiC功率半导体器件受到的电压变化、暴露引起的漏电流增大、晶格损伤等影响，并利用积累的数据制定了设计准则，确保SiC功率半导体器件在空间应用领域的长期可靠性。该技术将应用于航空航天、医疗辐射设备、核电站、辐射废物处理设施以及军事国防电子等各个领域。相关研究成果发表在《Radiation Physics and Chemistry》期刊。

消息来源：https://techxplore.com/news/2025-02-resistance-silicon-carbide-power-semiconductors.html