据《自然》杂志3月7日消息，韩国首尔国立大学（Seoul National University）研究团队成功开发出一种创新的二维半导体合成技术，实现了在多种基板上直接生长晶圆尺度的单晶二维半导体。研究团队采用了全新的增长方法，引入石墨烯、六边形氮化硼等二维材料作为模板，引导TMD（过渡金属二硫化物）晶体对齐，从而在任何基材上合成完美的单晶TMD薄膜。这项技术使得单晶TMD能够在400°C下的低温生长，且与现有的半导体制造工艺兼容，展现出巨大的工业潜力。相关研究成果发表在《自然》（Nature）杂志上。

消息来源：https://www.nature.com/articles/s41586-024-08492-9#author-information