据Phys网3月15日消息，中国浙江大学、英国剑桥大学等组成的国际联合研究团队在高频响应量子点发光二极管（QLED）方向取得突破性进展。研究团队首次报道了QLED在脉冲驱动下的记忆效应，并提出“记忆效应加速器件响应”的新策略，通过工艺创新，在不提升驱动电压的条件下将器件电容显著降低并压缩RC延迟至纳秒级，实现了100MHz电致发光调制频率和120Mbps可见光通信传输速率等突破性性能纪录，同时将单位比特能耗控制在1pJ以下。相关研究成果发表在《自然·电子学》（Nature Electronics）期刊。

消息来源：https://phys.org/news/2025-03-boosting-response-quantum-memory-effect.html