中国北京大学开发出全球首款无硅芯片,比最新3纳米芯片快40%且能耗低10%

2025-03-18  中国 来源:其他 作者:刘纪铖 领域:信息

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据MIT科技评论3月16日消息,中国北京大学研究团队开发出无硅二维环栅晶体管(2D GAAFET)技术,并研制出一系列二维环栅逻辑器件。这种二维环栅晶体管的速度和能效同时超越目前商用硅基晶体管的物理极限,比美国英特尔和中国台湾台积电最新的3纳米芯片快40%,且能耗低10%,是当前全球速度最快、能耗最低的晶体管。该突破打破了二维电子学发展的关键瓶颈,不仅突破了后摩尔时代高速度、低功耗芯片的二维新材料精准合成瓶颈,也突破了新架构三维异质集成的瓶颈,更首次证明了二维环栅器件在性能和能耗上优于先进硅基技术。相关研究成果发表在《自然·材料》(Nature Materials)期刊。


消息来源:https://www.mittrchina.com/news/detail/14545