据cnBeta网4月8日消息，德国铁电存储器公司（FMC）宣布与半导体企业Neumonda达成战略合作，计划在德国德累斯顿建立将DRAM的速度与非易失性数据保留相结合的新型非易失性存储芯片（FeRAM）的生产线。该新型芯片的制造将采用FMC研发的“DRAM+”技术，采用10nm以下制程兼容的铪氧化物（HfO₂）作为铁电层，替代传统锆钛酸铅PZT 材料。这种混合技术可使存储芯片在无需电源的情况下实现持久存储，同时保持纳秒级的访问时间，存储容量也从传统FeRAM的4~8MB提升至Gb~GB级别。值得关注的是，这是继2009年英飞凌、奇梦达德国DRAM工厂破产关停后，欧洲首次尝试重启存储芯片本土化生产。