据cnBeta网5月8日消息，美国NEO半导体公司（NEO Semiconductor）推出两项全新的3D X-DRAM单元设计——1T1C和3T0C。新设计分别采用单晶体管单电容和三晶体管零电容的架构，使用基于氧化铟镓锌（IGZO）的材料，并通过堆叠设计在保持节能状态的同时显著提高容量和吞吐量。具体来看，新内存单元不仅能够在单一模块上容纳512Gb（64GB）的容量，比当前普通DRAM模块的容量高出至少10倍，且读写速度达到10纳秒，保留时间超9分钟。NEO Semiconductor的首席执行官Andy Hsu表示，3D X-DRAM新技术突破了当前DRAM的扩展限制，表明NEO正在重新定义内存技术的可能性。