据cnBeta网5月20日消息，美国加州大学洛杉矶分校研究团队推出名为DirectDrive的突破性技术。该技术的关键在于快速切换射频电能，从而在半导体蚀刻机内产生并驱动等离子体。具体而言，DirectDrive技术每秒快速脉冲射频能量数千次，实现更精确地控制等离子体，从而可靠地以埃级精度蚀刻更小、更密集和3D的半导体器件。同时，基于这项技术的最新等离子刻蚀设备，等离子体响应速度将提升100倍，减少EUV图案缺陷，并支持环栅（GAA）晶体管、6F 2 DRAM和3D NAND器件的微缩，并可扩展至4F 2 DRAM、互补场效应晶体管和3D DRAM。该技术为等离子蚀刻工艺带来了前所未有的精度，有望支持下一代电子产品的开发，尤其是用于人工智能系统、需要高度紧凑和超高速电路的电子产品。