据Tech Xplore 6月18日消息，美国麻省理工学院的研究人员开发出新的制造方法，将高性能氮化镓（GaN）晶体管以低成本、可扩展的方式集成到标准硅CMOS芯片上，并与现有的半导体代工厂兼容。研究人员使用非常精细的激光技术在GaN芯片表面制造出紧密排列的微型晶体管，尺寸为240×410微米，形成所谓的“小芯片”（dielet）。随后，研究人员使用低温工艺将所需数量的晶体管粘合到硅芯片上，以保留两种材料的功能。研究人员利用这一工艺制造了功率放大器，其信号强度和效率比采用硅晶体管的设备更高。

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