据大半导体产业网8月8日消息，美国存储设备研发公司Neo Semiconductor推出全球首个用于人工智能芯片的超高带宽内存（X-HBM）架构。X-HBM基于NEO专有的3D X-DRAM架构，可消除长期以来带宽和密度方面的限制。据韩国科学技术院（KAIST）的研究预测，即使是预计于2040年左右上市的HBM8，也只能提供16K位总线和每芯片80 Gbit的容量，而新的X-HBM架构可实现32000-bit的超高位宽和512Gb的单层容量，相较传统HBM，带宽提升16倍，密度提升10倍。X-HBM成功解决了困扰AI芯片设计人员长达十年的性能瓶颈。NEO Semiconductor创始人兼首席执行官Andy Hsu表示，“X-HBM不是渐进式升级，而是根本性突破。”