据TechXplore网8月20日消息，美国莱斯大学（Rice University）材料科学团队开发出全球首个可将超薄半导体直接生长在电子元件上的新方法。研究人员采用化学气相沉积（CVD）技术，成功在预设计的图案化金电极上直接生长二维半导体材料二硒化钨（WSe₂），并制备出可运行的晶体管。相比传统工艺需要多步骤转移脆弱二维薄膜，该方法完全省去转移环节，同时降低加工温度，有效减少了材料损伤。这一技术突破有望大幅提升半导体器件的制造效率和产品稳定性，推动组件向更小、更快、更高效方向发展，为原子级薄材料在下一代晶体管、光伏器件等领域应用奠定基础。