据大半导体产业网9月29日消息，俄罗斯计算机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov曝光了俄罗斯最新的光刻机研发路线图。该路线图显示，俄罗斯最快将在2026年完成65-40nm分辨率的光刻机研发，2032年前完成28nm分辨率的光刻机研发，并最终在2036年底前完成可以生产10nm以下先进制程的全新极紫外线光（EUV）光刻机研发。值得注意的是，俄罗斯光刻机选择采用基于氙气（xenon）的激光器来产生波长为11.2nm的EUV光源，不仅能将分辨率提升约20%，还可以简化设计并降低整个光学系统的成本。此外，该设计还可减少光学元件的污染，延长收集器和保护膜等关键零件的寿命。俄罗斯科学院微观结构物理研究所称，由于光刻工艺的简化，其认为11.2nm的光刻技术将成为真正的193nm浸没式DUV光刻机的真实替代品。