据大半导体产业网10月10日消息，中国复旦大学研究团队研发出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片。该芯片将二维超快闪存器件“破晓（PoX）” 与成熟硅基CMOS工艺深度融合，支持8-bit指令操作，32-bit高速并行操作与随机寻址，良率高达94.3%，性能碾压目前的Flash闪存技术，首次实现了混合架构的工程化。在此基础上，团队进一步提出了跨平台系统设计方法论，包含二维-CMOS电路协同设计、二维-CMOS跨平台接口设计等，并将这一系统集成框架命名为“长缨（CY-01）架构”。上述重大突破为新一代颠覆性器件缩短应用化周期提供了范例。相关研究成果发表在《自然》（Nature）期刊。