据Phys网10月30日消息，美国纽约大学领衔的国际研究团队首次成功制备出具有超导性的锗材料。该锗材料能够在零电阻状态下导电，使电流无损耗地持续流动。研究人员通过分子束外延技术，在锗晶体中以极高浓度掺入镓原子，精确调控其晶体结构，在3.5开尔文温度下实现了零电阻导电。这一成果克服了半导体材料在掺杂后易失稳的难题，保持了稳定的类金刚石晶体结构。该突破不仅有望显著提升电子设备的运行速度与能效，还为构建可扩展、兼容现有晶圆工艺的量子电路、传感器和低温电子器件开辟了全新路径。相关研究成果发表在《自然·纳米技术》（Nature Nanotechnology）上。