据cnBeta网1月17日消息，中国西安电子科技大学研究团队基于首创的“离子注入诱导成核”技术攻克了半导体材料世界难题。该技术将原本随机的生长过程转为精准可控的均匀生长，并将粗糙的“岛状”界面转变为原子级平整的“薄膜，解决了传统半导体芯片因晶体成核层表面凹凸不平而导致的散热难题，使芯片散热效率和器件性能获得突破性提升。基于该技术制备的芯片，相较同类器件性能纪录提升了30%-40%，是近二十年来该领域的最大突破。该技术有望推动5G/6G通信、卫星互联网等未来产业的发展。