据量科网5月20日消息，全球先进半导体技术研究与创新机构比利时微电子研究中心（imec）展示了首个采用高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻技术制造的量子点量子比特器件。据imec介绍，这是目前已知首个利用High NA EUV光刻技术制造的集成量子硬件器件，标志着高可靠性量子比特向产业化规模扩展迈出重要一步。该成果建立在imec此前硅量子点自旋量子比特研究的基础之上。此前其研究已证明，兼容CMOS的制造工艺能够实现低电荷噪声以及稳定的量子比特运行。随着High NA EUV光刻技术被纳入制造流程，相关研究正从实验室中的单一演示器件，进一步转向兼容300毫米晶圆厂工艺、具备可重复制造能力的量子比特。